这篇专利申请没有提到XBM内存的难M内I内具体指标，HBM6，存换存墙

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，个方Intel指出当前HBM内存面临的向突技术挑战，包括面积被TSV侵占，难M内I内而是存换存墙Intel换了个方向开辟高性能内存之路，公开时间是个方今年7月2日。最新曝光的向突是一份编号为20260191095的专利申请，后端动态随机存取存储器（DRAM）。难M内I内XBM内存预计会比当前的存换存墙HBM4提升一倍的带宽、结合里面提到的个方参数来推测，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。向突各种技术标准都少不了Intel的难M内I内推动，但该技术面向的存换存墙至少是2030年之后的市场，面积效率越来越低，个方等过几年有产品了再看。再通过更多的TSV通道来提升总带宽。但HBM同样面临着技术限制，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。未来难以为继。

总的来说，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，

Intel是内存技术起价的，现在把它做到后端金属层中，功耗更低，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，

最终做出来的XBM内存面积效率高，届时会有HBM5、XBM不太可能直接取代HBM内存，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，